SI2302DS
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 650mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Si2302DS N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный | CHINA |
|
|
|||
| 3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный |
|
28.00 | ||||
| 3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный | CHINA NATIONAL |
|
|
|||
| 3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный | 0.00 |
|
|
|||
| KNP100JR-73-1K | YAGEO |
|
|
|||||
 |
 |
STN3PF06 |
|
Транзистор | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор |
|
|
||
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор |
|
|
||
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор | ST MICROELECTRO |
|
|
|
| Д602Б | 156 | 18.40 | ||||||
| Д602Б | 156 | 18.40 | ||||||
| Д602Б | ТОМИЛИНО | 54 | 52.50 | |||||
 |
МКА-52141 ГР.А |
|
1 | 101.75 |
