| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1340pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA NATIONAL
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
3386F-10К |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3386F-10К |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3386F-10К |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
CHINA NATIONAL
|
|
|
|
|
|
|
3386F-10К |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
|
|
23.44
|
|
 |
 |
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
|
|
174.00
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
214
|
|
|
|
|
|
KNP100JR-73-1K |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
L78L05ABD13TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 163
|
32.32
|
|
|
|
|
L78L05ABD13TR |
|
|
|
8 367
|
6.72
|
|
|
|
|
L78L05ABD13TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
L78L05ABD13TR |
|
|
STMICROELECTRONICS
|
40 099
|
6.22
|
|
|
|
|
L78L05ABD13TR |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L78L05ABD13TR |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
L78L05ABD13TR |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L78L05ABD13TR |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
L78L05ABD13TR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
202
|
|
|
Версия для печати
