SI2302CDS-T1-GE3


Купить SI2302CDS-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI2302CDS-T1-GE3 (SILICONIX.) 228 3-4 недели
Цена по запросу

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Версия для печати

Технические характеристики SI2302CDS-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Power - Max710mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI2302CDS-T1-GE3 datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  HOA2005-001     HONEYWELL Заказ радиодеталей цена радиодетали
  HOA2005-001     HONEY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  HOA2005-001       Заказ радиодеталей 1 247.44 
  HOA2005-001     Honeywell Sensing and Control Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   VISHAY 2 288 37.82 
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R     Заказ радиодеталей 40.80 
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   SILICONIX 2 087 цена радиодетали
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   VISHAY 1 588 цена радиодетали
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
    Д-603 СВЧ ДИОД       Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс     49 18.40 
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   ТОМИЛИНО Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   СЗТП 80 24.99 
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   РОССИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт     239 27.90 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   КРЕМНИЙ 1 732 33.57 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   БРЯНСК 1 586 33.48 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   МИНСК 237 22.32 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   УЛЬЯНОВСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   1988 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход