Версия для печати
Технические характеристики SI2302CDS-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Power - Max	710mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

SI2302CDS-T1-GE3 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAI/QTC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FSC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт		24	20.80
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	5
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	OTHER	266
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	Fairchild Semiconductor
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ФИЛИППИНЫ
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMIC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS	4 400	20.11
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS-FAIR
		HOA2005-001			HONEYWELL
		HOA2005-001			HONEY
		HOA2005-001					1 247.44
		HOA2005-001			Honeywell Sensing and Control
		NE556N			NEC
		NE556N			ST MICROELECTRONICS	266	35.91
		NE556N					33.68
		NE556N			ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE556N			STMicroelectronics
		NE556N			Texas Instruments
		NE556N			TEXAS INSTRUMENTS	16
		NE556N			КИТАЙ
		NE556N			ST MICROELECTR
		NE556N			TEXAS	848	28.89
		NE556N			ST1
		NE556N			ST MICROELECTRO
		NE556N			TEXAS INSTRUMEN
		NE556N			4-7 НЕДЕЛЬ	309
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		10 387	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР	32	59.29
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	24 684	48.30
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 440	113.65
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КЦ201Е		Столбы из кремниевых, диффузионных, лавинных диодов, импульсные, для преобразования ...		26	892.08
		КЦ201Е		Столбы из кремниевых, диффузионных, лавинных диодов, импульсные, для преобразования ...	ТОМИЛИНО
		КЦ201Е		Столбы из кремниевых, диффузионных, лавинных диодов, импульсные, для преобразования ...	RUS
		КЦ201Е		Столбы из кремниевых, диффузионных, лавинных диодов, импульсные, для преобразования ...	СЗТП	12	1 504.44
		КЦ201Е		Столбы из кремниевых, диффузионных, лавинных диодов, импульсные, для преобразования ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"