Версия для печати
Технические характеристики SI2302CDS-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Power - Max	710mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

SI2302CDS-T1-GE3 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	NEC
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	ST MICROELECTRONICS
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	UNISONIC TECHNOLOGIES
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	UTC
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...		1 080	8.04
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	STMicroelectronics
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	КИТАЙ
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	ISC
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	UNISONIC
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	ISCSEMI
		2SB772		Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...	MSKSEMI	2 910	4.27
		HOA2005-001			HONEYWELL
		HOA2005-001			HONEY
		HOA2005-001					1 247.44
		HOA2005-001			Honeywell Sensing and Control
		IR25602SPBF			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR25602SPBF			INFINEON
		IR25602SPBF			INFENION
		АОУ103В1		Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора		89	260.82
		АОУ103В1		Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора	СТАРТ	2 582	157.50
		АОУ103В1		Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора	RUS
		АОУ103В1		Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора	НПП УРЛЗ
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ДНЕПР	1 128	210.00
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.		42	249.48
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ХЕРСОН
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 1
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	RUS
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	СЗТП
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 2
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	РОССИЯ	400	356.97
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САПФИР
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ПО "ДНЕПР"	112	299.63

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"