| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1340pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
|
|
174.00
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
214
|
|
|
|
|
|
LQH32MN470K23L |
|
|
MUR
|
22 067
|
8.02
|
|
|
|
|
LQH32MN470K23L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LQH32MN470K23L |
|
|
MURATA
|
1
|
8.27
|
|
|
|
|
SH050M0047BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH050M0047BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH050M0047BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH050M0047BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 50 В
|
|
|
|
|
|
|
|
SI2302CDS-T1-E3 |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
SI2302CDS-T1-E3 |
|
|
SILICONIX
|
42
|
|
|
|
|
|
SI2302CDS-T1-E3 |
|
|
VISHAY
|
1 956
|
36.31
|
|
|
|
|
SI2302CDS-T1-E3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SN65LVDS2DBVTG4 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN65LVDS2DBVTG4 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN65LVDS2DBVTG4 |
|
|
|
|
148.00
|
|
|
|
|
SN65LVDS2DBVTG4 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
SN65LVDS2DBVTG4 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
505
|
|
|
Версия для печати
