| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1340pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJI ELECTRIC
|
80
|
230.58
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
|
1
|
277.50
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2SC2625 |
|
Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W
|
INCHANGE
|
88
|
185.98
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
|
|
174.00
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
214
|
|
|
|
|
|
IRF7416 |
|
Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
40
|
83.16
|
|
|
|
|
IRF7416 |
|
Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W
|
|
|
59.68
|
|
|
|
|
IRF7416 |
|
Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7416 |
|
Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF7416 |
|
Транзистор полевой SMD P-MOS 30V, 10A, 2.5W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
|
7
|
39.06
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
JSMICRO
|
32 529
|
2.58
|
|
|
|
|
SI4336DY-T1 |
|
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
SI4336DY-T1 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
SI4336DY-T1 |
|
|
|
|
542.00
|
|
|
|
|
SI4336DY-T1 |
|
|
SILICONIX
|
15
|
|
|
Версия для печати
