Версия для печати
Технические характеристики FDS4410

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 10A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1340pF @ 15V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007

FDS4410A Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrenchand#174; MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com FDS4410 datasheet 116.8Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIR
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FSC
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIRCHILD
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт			174.00
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIRCHILD
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	Fairchild Semiconductor
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	КИТАЙ
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	ONS
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	214
		IRF7406		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7406		Транзистор полевой P-канальный MOSFET		2 320	9.58
		IRF7406		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER	9
		IRF7406		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	КИТАЙ
		IRF7406		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INFINEON
		IRF7406		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	IR/VISHAY	16	22.51
		IRF7406		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	EVVO	818	10.25
		MCP6002-I/SN					72.00
		MCP6002-I/SN			MICRO CHIP	136	31.22
		MCP6002-I/SN			MICRO CHIP
		MCP6002-I/SN			Microchip Technology
		MCP6002-I/SN			MCHIP
		MCP6002-I/SN			4-7 НЕДЕЛЬ	375
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIR
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FSC
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ГОНКОНГ
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	FAIRCHILD
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS	4	60.32
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ONS-FAIR
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...		1 136	40.66
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	ON SEMICONDUCTOR
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	0.00
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	YOUTAI	3 412	18.33
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW
		MOC3083M		Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=5mA, Vdrm=800V(peak), ...	UMW-YOUTAI
		SN65LVDS2DBVTG4			TEXAS INSTRUMENTS
		SN65LVDS2DBVTG4			TEXAS
		SN65LVDS2DBVTG4					148.00
		SN65LVDS2DBVTG4			МАЛАЙЗИЯ
		SN65LVDS2DBVTG4			4-7 НЕДЕЛЬ	505

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"