SI2302CDS-T1-GE3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI2302CDS-T1-GE3 (SILICONIX.)	228	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Версия для печати

Технические характеристики SI2302CDS-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Power - Max	710mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3 (TO-236)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI2302CDS-T1-GE3 datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HOA2005-001		HONEYWELL
HOA2005-001		HONEY
HOA2005-001				1 247.44
HOA2005-001		Honeywell Sensing and Control
КД205Б		СЗТП	8	89.79
КД205Б			363	49.19
КД205Б		ЗОНД
КД205Б		ИЗОТОП
КД205Б		ИРКУТСК
КД205Б		УДАЛЕНО
КД205Б		ИЖЕВСК
КД205Б		ИЗОТОН
КД205Б		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс		1 779	74.00
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ФОТОН	2 837	21.20
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСК
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	RUS
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ELNEC
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	СЗТП
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	РОССИЯ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		403	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	800	32.79
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 041	38.16
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2159
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP		34	37.00
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	1 936	34.36
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	9 326	38.16
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	РАДИОДЕТ
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	157
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	5643
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	6882

SI2302CDS-T1-GE3

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: