SI2302CDS-T1-GE3
|
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Power - Max | 710mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HOA2005-001 | HONEYWELL |
|
|
||||
|
|
HOA2005-001 | HONEY |
|
|
||||
|
|
HOA2005-001 |
|
1 247.44 | |||||
|
|
HOA2005-001 | Honeywell Sensing and Control |
|
|
||||
| SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R | VISHAY |
|
|
|||
| SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R | SILICONIX |
|
|
|||
| SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R |
|
40.80 | ||||
| SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R | SILICONIX | 2 087 |
|
|||
| SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R | VISHAY | 1 588 |
|
|||
| SI2301BDS-T1-E3 |
|
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R | Vishay/Siliconix |
|
|
|||
 |
SI2302DS | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
SI2302DS | NXP |
|
|
||||
|
|
SI2302DS | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
SI2302DS |
|
|
|||||
|
|
SI2302DS | NXP |
|
|
||||
 |
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс | 10 | 147.42 | ||
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс | ФОТОН |
|
|
|
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс | СЗТП | 9 | 283.50 | |
|
|
|
КД2997В |
|
Кремниевый диод большой мощности 50В, 100А, 100 кГц, 0,2мкс | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
|
| КТ 825Д |
|
|
