Версия для печати
Технические характеристики MMBT5401LT1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 10mA, 5V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	300MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

MMBT5401LT1 (Универсальные биполярные транзисторы) Полевой транзистор SMD Также в этом файле: MMBT5401LT1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MMBT5401LT1 datasheet 112,63kB 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A		559	5.55
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	15 024	2.83
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	17 622	4.34
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	15 259	3.18
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	3 780	3.18
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	10.93
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	1	1.16  >100 шт.   0.58
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	204	3.79
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	397	3.18
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	LGE	499	1.99
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ	3	2.17
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	11475
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	3599
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	4726
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	583
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	11 317	8.01
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 202	3.63
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	1 932	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	47 786	0.55  >1000 шт.   0.11
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.72  >100 шт.   0.86
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	712	1.38  >100 шт.   0.69
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	40	1.82  >100 шт.   0.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	23 200	1.34  >100 шт.   0.67
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	1 520	1.34  >100 шт.   0.67
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	NXP	1 773	2.01
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CHENMKO ENTERPRISE
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIR
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PHILIPS	532	5.47
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	DC COMPONENTS	54 132	2.45
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	DIOTEC	6 871	2.54
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LI-SION TECHNOLOGY
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...		559	7.40
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIRCHILD
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	GALAXY
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MCC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIRCHILD	4 762
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LI-SION TECHNOLOGY INC.	1 848
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	NXP	3 192
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	OTHER	4 841
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PHILIPS
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	Fairchild Semiconductor
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICROSEMI CORP
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	КИТАЙ
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	UTC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ONS-FAIR
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ONS
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	GALAXY ME
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	HOTTECH	749 453	1.14
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LRC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	KLS
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	KOME	2	2.62
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PANJIT
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SUNTAN	1	1.38  >100 шт.   0.69
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR	1 298
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SEMTECH	1	2.13
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	WUXI XUYANG	563	1.96  >100 шт.   0.98
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	YJ	376 639	1.98
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CJ	796	1.48
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	1
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JSCJ	68 509	1.81
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JINGDAO
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JSMICRO	192 652	1.72  >100 шт.   0.86
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	KEEN SIDE	65 717	1.32  >500 шт.   0.44
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MERRYELC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	2237
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	680
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	2217
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	RUME	115 200	1.08  >100 шт.   0.54
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	TRR	232 800	1.16  >100 шт.   0.58
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс			112.80
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ФИЛИППИНЫ
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
		IR2104		Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ON SEMICONDUCTOR	800	10.15
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FAIR
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	NXP
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	PHILIPS
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	WEINTRON TECHNOLOGY
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц		4	6.80
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ST MICROELECTRONICS
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	UTC
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	DIOTEC	23	1.74  >100 шт.   0.87
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FAIRCHILD
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FAIRCHILD	364
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	NXP	27
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	OTHER
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI	52
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	Fairchild Semiconductor
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	STMicroelectronics
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	КИТАЙ
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	GALAXY
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	INFINEON	61
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	KINGTRON
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ONS-FAIR
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ONS
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	GALAXY ME
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	PANJIT
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	HOTTECH	57 652	1.82  >100 шт.   0.91
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	SEMTECH	28	1.14  >500 шт.   0.38
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FUXIN	33 827	1.64  >100 шт.   0.82
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	YJ	208 619	1.03
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	UMW-YOUTAI
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	YANGJIE	12 856	1.52  >100 шт.   0.76
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	JSCJ	83 654	1.25
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FULIHAO TECH	1 760	7.23
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	NEXPERIA	765	2.09
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	YANGZHOU YANGJIE
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	KEEN SIDE	4 097	1.38  >500 шт.   0.46
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	50
		MMBT3904		Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	30

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"