|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
2 704
|
1.23
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
3 295
|
1.22
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
40 479
|
1.74
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
18 272
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
28
|
2.37
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
9.45
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
241
|
4.40
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.15
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
2 540
|
2.31
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.52
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
8 577
|
3.56
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 718
|
4.38
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
27 600
|
1.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
376
|
1.84
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.23
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
2 152
|
1.65
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
1 789
|
3.25
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
532
|
4.91
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DC COMPONENTS
|
77 242
|
1.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DIOTEC
|
17 260
|
2.95
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
|
559
|
7.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
4 762
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
1 848
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
3 192
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
OTHER
|
4 841
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
HOTTECH
|
42 783
|
1.07
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KOME
|
2
|
3.02
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SUNTAN
|
1
|
1.31
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 298
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SEMTECH
|
1
|
2.46
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
WUXI XUYANG
|
569
|
2.08
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
YJ
|
761 644
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CJ
|
804
|
1.47
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSCJ
|
138 595
|
1.03
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSMICRO
|
67 068
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
893
|
3.18
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
68 792
|
1.85
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
541
|
1.59
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
18 091
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
632 624
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
523 030
|
1.07
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.17
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
1 840
|
4.13
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
9 437
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
138
|
1.02
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
50 095
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
45 760
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 464
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.68
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
29 532
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
187
|
5.04
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 144
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1 |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|