IRF9317TRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 16A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2820pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BTA16-600 |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус |
|
|
||
|
|
|
BTA16-600 |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
 |
|
FDS4410 | FAIR |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | FSC |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | FAIRCHILD |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 |
|
116.00 | ||||
|
|
|
FDS4410 | FAIRCHILD |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | FSC1 |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | A&O |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | ONS |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||
| HU-3КОМПЛЕКТ | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| HU-4КОМПЛЕКТ | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| MCP6V02-E/SN | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| MCP6V02-E/SN | Microchip Technology |
|
|
|||||
| MCP6V02-E/SN | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| MCP6V02-E/SN |
|
|
||||||
| MCP6V02-E/SN | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
