Версия для печати
Технические характеристики IRLR8743PBF

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	160A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	59nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4880pF @ 15V
Power - Max	135W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRLR8743PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRLR8743PBF datasheet 369.3 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-330 5%		ЧИП — резистор			1.60  >100 шт.   0.80
		BTA41-600
		BTA41-600
		IR11672AS			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR11672AS					169.60
		IR11672AS			INFINEON
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	DC COMPONENTS
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A		4 266	27.12
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	YJ	5 803	34.50
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	KINGTRONICS
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	HOTTECH	2 281	38.23
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	SEP
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	YANGJIE	1 280	32.34
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	YANGJIE (YJ)
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	KLS
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	SUNTAN	479	41.83
		MCP1700T-3302E/MB			MICRO CHIP
		MCP1700T-3302E/MB			Microchip Technology
		MCP1700T-3302E/MB			MICRO CHIP	8
		MCP1700T-3302E/MB

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"