![]() |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 160A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4880pF @ 15V |
Power - Max | 135W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRLR8743PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-15 5% |
![]() |
ЧИП — резистор |
![]() |
1.60 >100 шт. 0.80 |
||||
![]() |
![]() |
0805-2.7K 1% |
![]() |
ЧИП — резистор 0805, 2.7кОм, 1% | 139 |
1.08 >500 шт. 0.36 |
||
3296P 10K | 912 | 14.04 | ||||||
BAT54S-7-F | DIODES |
![]() |
![]() |
|||||
BAT54S-7-F | DI |
![]() |
![]() |
|||||
BAT54S-7-F |
![]() |
7.20 | ||||||
BAT54S-7-F | DIODES INC. | 248 |
![]() |
|||||
BAT54S-7-F | Diodes Inc |
![]() |
![]() |
|||||
NP0-4.7PF +/-0.25PF 50V |
![]() |
Керамический конденсатор 4.7 пФ 50 В | KEMET |
![]() |
![]() |
|||
NP0-4.7PF +/-0.25PF 50V |
![]() |
Керамический конденсатор 4.7 пФ 50 В | 14 | 1.52 |
|
Корзина
|