|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 160A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4880pF @ 15V |
| Power - Max | 135W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRLR8743PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
0805-10K 1% |
|
ЧИП - резистор 10 кОм, 1%, 0.125Вт |
|
1.08 >500 шт. 0.36 |
||
| 0805-15.0K 5% |
|
ЧИП — резистор | 114 |
1.60 >100 шт. 0.80 |
||||
| 1206-X7R-0.047UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.047 мкФ 50 В | KOME |
|
|
|||
| 1206-X7R-0.047UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.047 мкФ 50 В | 8 | 2.68 | ||||
|
|
|
BH-14 (IDC-14MS) |
|
Вилка прямая на плату , 14 медных контактов с покрытием золото, шаг 2.54мм | 28 079 | 4.76 | ||
|
|
|
BH-14 (IDC-14MS) |
|
Вилка прямая на плату , 14 медных контактов с покрытием золото, шаг 2.54мм | NXU | 8 800 | 11.37 | |
|
|
|
BH-14 (IDC-14MS) |
|
Вилка прямая на плату , 14 медных контактов с покрытием золото, шаг 2.54мм | KLS | 11 200 | 9.30 | |
|
|
|
MCP602I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us | MICRO CHIP |
|
|
|
|
|
|
MCP602I/P |
|
2x Op-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us |
|
|