|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 160A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4880pF @ 15V |
| Power - Max | 135W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRLR8743PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-15 5% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||||
|
|
|
0805-2.7K 1% |
|
ЧИП — резистор 0805, 2.7кОм, 1% | 139 |
1.08 >500 шт. 0.36 |
||
| 3296P 10K | 360 | 12.46 | ||||||
| BAT54S-7-F | DIODES |
|
|
|||||
| BAT54S-7-F | DI |
|
|
|||||
| BAT54S-7-F | 1 538 | 7.20 | ||||||
| BAT54S-7-F | DIODES INC. | 248 |
|
|||||
| BAT54S-7-F | Diodes Inc |
|
|
|||||
| NP0-4.7PF +/-0.25PF 50V |
|
Керамический конденсатор 4.7 пФ 50 В | KEMET |
|
|
|||
| NP0-4.7PF +/-0.25PF 50V |
|
Керамический конденсатор 4.7 пФ 50 В | 14 | 1.52 |