|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |   |   | 1206-2.0M 5% |   | ЧИП — резистор 2МОм, 5% |  | 208 | 0.96 >500 шт.   0.32
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | 1206-3.0M 5% |   | ЧИП — резистор |  | 152 | 1.28 >100 шт.   0.64
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | LESHAN RADIO COMPANY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ONS | 1 | 1.41 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) |  | 3 614 | 1.97 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | LESHAN RADIO COMPANY, LTD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ON SEMICONDUCTOR | 11 847 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ON SEMICONDUCTO |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ONSEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | ONSEMI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |   | BAV99LT1G |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns) | FUXIN | 71 835 | 1.18 >100 шт.   0.59
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | STGB10NB37LZ |   | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | STGB10NB37LZ |   | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый |  | 4 | 340.00 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | STGB10NB37LZ |   | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | STGB10NB37LZ |   | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | STGB10NB37LZ |   | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | STGB10NB37LZ |   | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | TL064ACN |  |  | ST MICROELECTRONICS | 532 | 34.02 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | TL064ACN |  |  |  | 68 | 35.15 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | TL064ACN |  |  | Texas Instruments |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | TL064ACN |  |  | STMicroelectronics |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | TL064ACN |  |  | ST MICROELECTRONICS SEMI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | TL064ACN |  |  | 4-7 НЕДЕЛЬ | 386 |   |  |