Версия для печати
Технические характеристики TL064ACN

Корпус	14-PDIP
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V
Ток выходной	200µA
Напряжение входного смещения	3000µV
Ток - входного смещения	30pA
Полоса пропускания	1MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	3.5 V/µs
Число каналов	4
Тип усилителя	J-FET
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Ток выходной / канал	20mA

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1 640	2.87
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		20 014	1.40
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	207 146	1.77
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	PHILIPS
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	DC COMPONENTS
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	DIOTEC	31 276	3.10
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	NXP
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ON SEMICONDUCTOR	1 600
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	OTHER	4
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...		442	7.56
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KEC
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	КИТАЙ
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	CJ
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	LGE
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	HOTTECH	48 800	3.10
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KLS
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	SEMTECH
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KLS EL
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	NEX-NXP	1 360	10.33
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	CHINA
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ASEMI
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	1
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KOME
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	JSMICRO	5 708	1.35
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KEEN SIDE
		BC547C		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	RUME
		BC557CG			ON SEMICONDUCTOR
		BC557CG			ONS
		BC557CG			ON SEMICONDUCTOR
		LM393ADR		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	TEXAS INSTRUMENTS
		LM393ADR		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В		1 000	13.99
		LM393ADR		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	TEXAS INSTRUMENTS	21
		LM393ADR		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	TEXAS
		LM393ADR		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	YOUTAI	12 012	6.03
		LM393ADR		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	UMW-YOUTAI
		LM393ADR		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	UMW
		LM393ADR		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	4-7 НЕДЕЛЬ
		LM393AN		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	Fairchild Semiconductor
		LM393AN		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	STMicroelectronics
		LM393AN		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В
		LM393AN		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В
		LM393AN		ИМС компаратор 2-х канальный 2мВ, 30В	4-7 НЕДЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"