TL064ACN
|
|
Версия для печати
| Корпус | 14-PDIP |
| Корпус (размер) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V |
| Ток выходной | 200µA |
| Напряжение входного смещения | 3000µV |
| Ток - входного смещения | 30pA |
| Полоса пропускания | 1MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 3.5 V/µs |
| Число каналов | 4 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Ток выходной / канал | 20mA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1206-2.0M 5% |
|
ЧИП — резистор 2МОм, 5% | 208 |
0.96 >500 шт. 0.32 |
||
| 1206-3.0M 5% |
|
ЧИП — резистор | 152 |
1.28 >100 шт. 0.64 |
||||
| MC14016BDR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC14016BDR2G | ONS |
|
|
|||||
 |
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ... |
|
38.64 | |||
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ... | ФОТОН |
|
|
||
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ... | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||
| КР140УД1408Б | 671 | 8.28 | ||||||
| КР140УД1408Б | КВАЗАР | 75 | 16.80 | |||||
| КР140УД1408Б | КОНТИНЕНТ | 4 562 | 16.80 | |||||
| КР140УД1408Б | КВАДР |
|
|
