Версия для печати
Технические характеристики BAV99LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	2.5µA @ 70V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	215mA (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	70V
Reverse Recovery Time (trr)	6ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Series Connection
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

BAV99LT1 Monolithic Dual Switching Diode Также в этом файле: BAV99LT1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com BAV99LT1G datasheet 46.8Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	5 503	1.49
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	32 866	2.95
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		24 272	1.16  >100 шт.   0.58
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	393 232	1.84  >100 шт.   0.92
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	417 907	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	220	1.20  >500 шт.   0.40
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.08  >500 шт.   0.36
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PLINGSEMIC	95 915	1.08  >100 шт.   0.54
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SLKOR	81	1.38
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KEEN SIDE	127 209	1.24  >100 шт.   0.62
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1700
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	2209
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	3000
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	208619
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	416
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ELZET	208 560	1.11  >500 шт.   0.37
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	RUME	124 800	1.04  >100 шт.   0.52
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TRR	72 000	1.18  >100 шт.   0.59
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	MOTOROLA
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS INSTRUMENTS	5 044	37.20
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS	267	45.29
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	UTC
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	АЛЬФА РИГА
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	NS
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	РОДОН
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	FAIRCHILD
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	MOTOROLA
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ON SEMICONDUCTOR
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	STMicroelectronics
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	КИТАЙ
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	PHILIPS
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRO
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	FSC
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ		1 558	19.92
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ONS
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	STMICROELECTR
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXASINSTRUMENTS
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	1
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	HGSEMI	2 387	16.24
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	4-7 НЕДЕЛЬ	628
		LM324N		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	5305
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	32.01
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	842	27.33
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	7 928	6.30
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))			40.28
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	NSC
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	NATIONAL SEMICONDUCTOR	192
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	TEXAS INSTRUMENTS
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	TEXAS
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	4-7 НЕДЕЛЬ	206
		TL431ACZ-AP			ST MICROELECTRONICS	79	21.81
		TL431ACZ-AP				960	12.31
		TL431ACZ-AP			ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL431ACZ-AP			STMicroelectronics
		TL431ACZ-AP			КИТАЙ
		TL431ACZ-AP			4-7 НЕДЕЛЬ	180

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"