| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.5µA @ 70V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 215mA (DC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6ns |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1SMA18AT3G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1SMA18AT3G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1SMA18AT3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 684
|
|
|
|
|
|
1SMA18AT3G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1SMA18AT3G |
|
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN681 |
|
Керамический конденсатор 680 пФ 50 В
|
YAGEO
|
464 765
|
0.95
>1000 шт. 0.19
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN681 |
|
Керамический конденсатор 680 пФ 50 В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN681 |
|
Керамический конденсатор 680 пФ 50 В
|
PHYCOMP
|
17 920
|
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN681 |
|
Керамический конденсатор 680 пФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO9BN681 |
|
Керамический конденсатор 680 пФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
5 044
|
42.00
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
41.58
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
PHILIPS
|
1
|
42.00
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
1 170
|
17.46
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
1
|
|
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
HGSEMI
|
3 317
|
11.86
|
|
|
|
LM324N |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
628
|
|
|
|
|
|
LMV321IDCKR |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LMV321IDCKR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LMV321IDCKR |
|
|
|
2 340
|
19.19
|
|
|
|
|
LMV321IDCKR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LMV321IDCKR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LMV321IDCKR |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
LMV321IDCKR |
|
|
YOUTAI
|
10 470
|
2.53
|
|
|
|
|
LMV321IDCKR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
274
|
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
411
|
25.83
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
|
6 960
|
10.33
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 040
|
|
|
|
|
SN74HC595DR |
|
Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр CMOS, -40/+85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
269
|
|
|