|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| PWM Type | Current Mode |
| Число выходов | 1 |
| Частота -макс. | 275kHz |
| Duty Cycle | 96% |
| Напряжение питания | 10 V ~ 30 V |
| Buck | Нет |
| Boost | Да |
| Flyback | Да |
| Inverting | Нет |
| Doubler | Нет |
| Divider | Нет |
| Cuk | Нет |
| Isolated | Да |
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2KBP08M-E4/51 ДИОДНЫЙ МОСТ 800V 2A | VISHAY |
|
|
|||||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 263 | 7.35 | |||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONS | 298 | 7.70 | |||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 |
|
|
||||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 48 |
|
|||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | LRC |
|
|
|||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 555 | 4.53 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 547 | 4.05 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI |
|
|
|||||
| SBR2512: 3-ФАЗНЫЙ ДИОДНЫЙ МОСТ (25А,1200В) |
|
|
||||||
| STF23NM50N | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STF23NM50N |
|
|