SPA04N60C3
MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | CoolMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Power - Max | 31W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | PG-TO220-FP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SPP04N60C3 (Мощные полевые МОП транзисторы) Cool MOSTM Power Transistor Также в этом файле: SPA04N60C3
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ICE3BS02 | INFINEON | 80 | 90.17 | |||||
| ICE3BS02 |
|
|
||||||
| ICE3BS02 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| ICE3BS02 | США |
|
|
|||||
| ICE3BS02 | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||||
| ICE3BS02 | 1 |
|
|
|||||
| ICE3BS02 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 658 |
|
|||||
| PET31 |
|
1 326.00 | ||||||
| PET31 |
|
1 326.00 | ||||||
 |
 |
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz |
|
622.44 | ||
|
|
|
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | INFINEON | 466 | 141.64 | |
|
|
|
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
TDA16846 |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 167 |
|
|
 |
КР142ЕН5Г | 136 | 28.80 | |||||
|
|
КР142ЕН5Г | МИКРОН | 187 | 8.40 | ||||
|
|
КР142ЕН5Г | БРЯНСК | 172 | 7.35 | ||||
|
|
КР142ЕН5Г | КРЕМНИЙ | 266 | 45.36 |
