BSS123LT1G
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 170mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
74HC595DR2G |
|
Сдвиговый регистр 8 бит, последовательный в паралельный | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
74HC595DR2G |
|
Сдвиговый регистр 8 бит, последовательный в паралельный | ONS | 240 | 24.80 | |
|
|
|
74HC595DR2G |
|
Сдвиговый регистр 8 бит, последовательный в паралельный |
|
|
||
|
|
|
74HC595DR2G |
|
Сдвиговый регистр 8 бит, последовательный в паралельный | 4-7 НЕДЕЛЬ | 236 |
|
|
| CKX3-3.5-03A ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
|
|
||||||
 |
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения |
|
48.44 | ||
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | ONS |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | 4-7 НЕДЕЛЬ | 566 |
|
|
| SF-007 (10.5X8.6X2.5MM) |
|
|
||||||
| SF-007 (10.5X8.6X2.5MM) | КИТАЙ |
|
|
|||||
| USB/F-4 |
|
|
