MBRS3200T3G


Купить MBRS3200T3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MBRS3200T3G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MBRS3200T3G (ON SEMICONDUCTOR.) 1 760 3-4 недели
Цена по запросу
MBRS3200T3G 4 116.00 
MBRS3200T3G (FUXIN) 6 925 3.90 
MBRS3200T3G (TOKMAS) 552 4.40 

Версия для печати

Технические характеристики MBRS3200T3G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If840mV @ 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200V
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr1mA @ 200V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DO-214AA, SMB
КорпусSMB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    2KBP08M-E4/51 ДИОДНЫЙ МОСТ 800V 2A     VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   ON SEMICONDUCTOR 263 7.35 
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   ONS 298 7.70 
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   ON SEMICONDUCTOR 48 цена радиодетали
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CL31B104KBCNNNC     SAM Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CL31B104KBCNNNC     SAMSUNG 80 916 1.34 
>100 шт.   0.67 
    CL31B104KBCNNNC       Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL210PBF Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL210PBF Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL210PBF Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL210PBF Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJD50T4G     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJD50T4G     ON Semiconductor 1 996 42.00 
    MJD50T4G       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJD50T4G     ON SEMICONDUCTOR 157 цена радиодетали
    MJD50T4G     2495 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход