MBRS3200T3G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MBRS3200T3G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 760	3-4 недели Цена по запросу
MBRS3200T3G	4	116.00
MBRS3200T3G (FUXIN)	8 485	7.26
MBRS3200T3G (TOKMAS)	344	7.80

Версия для печати

Технические характеристики MBRS3200T3G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	840mV @ 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Current - Average Rectified (Io)	3A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1mA @ 200V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AA, SMB
Корпус	SMB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BSS123LT1G	Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ON SEMICONDUCTOR	223	7.42
BSS123LT1G	Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ONS	300	7.96
BSS123LT1G	Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
BSS123LT1G	Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ON SEMICONDUCTOR	48
BSS123LT1G	Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ONSEMICONDUCTOR
BSS123LT1G	Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	LRC
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	VISHAY
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	Vishay/Siliconix
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A
MJD50T4G		ONS	676	56.27
MJD50T4G		ON Semiconductor	1 996	42.40
MJD50T4G
MJD50T4G		ON SEMICONDUCTOR	157
MJD50T4G		2495
SM6T36A		ST MICROELECTRONICS
SM6T36A
SM6T36A		ST MICROELECTRONICS SEMI	758
SM6T36A		STMicroelectronics
SM6T36A		КИТАЙ
SM6T36A
SM6T36A		HOTTECH
SM6T36A		1
STF23NM50N		ST MICROELECTRONICS
STF23NM50N