Версия для печати
Технические характеристики MBRS3200T3G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	840mV @ 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Current - Average Rectified (Io)	3A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1mA @ 200V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AA, SMB
Корпус	SMB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2KBP08M-E4/51 ДИОДНЫЙ МОСТ 800V 2A			VISHAY
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ON SEMICONDUCTOR	223	7.42
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ONS	298	7.96
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ON SEMICONDUCTOR	48
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	ONSEMICONDUCTOR
		BSS123LT1G		Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2	LRC
		CL31B104KBCNNNC			SAM
		CL31B104KBCNNNC			SAMSUNG	60 488	1.28  >100 шт.   0.64
		CL31B104KBCNNNC
		IRFL210PBF		Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	VISHAY
		IRFL210PBF		Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	Vishay/Siliconix
		IRFL210PBF		Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFL210PBF		Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A
		MJD50T4G			ONS
		MJD50T4G			ON Semiconductor	1 996	42.40
		MJD50T4G
		MJD50T4G			ON SEMICONDUCTOR	157
		MJD50T4G			2495

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"