|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
367
|
7.35
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONS
|
10 939
|
6.46
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
48
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
LRC
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A
|
|
|
|
|
|
|
MJD50T4G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJD50T4G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MJD50T4G |
|
|
|
|
|
|
|
|
MJD50T4G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
157
|
|
|
|
|
SM6T36A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
19 184
|
15.03
|
|
|
|
SM6T36A |
|
|
|
|
|
|
|
|
SM6T36A |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
758
|
|
|
|
|
SM6T36A |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
SM6T36A |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SM6T36A |
|
|
|
|
|
|
|
|
SM6T36A |
|
|
HOTTECH
|
8 673
|
11.83
|
|
|
|
SM6T36A |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
STF23NM50N |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STF23NM50N |
|
|
|
|
|
|