MBRS3200T3G


Купить MBRS3200T3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MBRS3200T3G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MBRS3200T3G (ON SEMICONDUCTOR.) 1 760 3-4 недели
Цена по запросу
MBRS3200T3G 4 116.00 
MBRS3200T3G (FUXIN) 7 396 3.74 
MBRS3200T3G (TOKMAS) 5 500 5.94 

Версия для печати

Технические характеристики MBRS3200T3G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If840mV @ 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200V
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr1mA @ 200V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DO-214AA, SMB
КорпусSMB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   ON SEMICONDUCTOR 367 7.35 
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   ONS 10 939 6.46 
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   ON SEMICONDUCTOR 48 цена радиодетали
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BSS123LT1G Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL210PBF Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL210PBF Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL210PBF Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL210PBF Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJD50T4G     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJD50T4G     ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJD50T4G       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MJD50T4G     ON SEMICONDUCTOR 157 цена радиодетали
    SM6T36A     ST MICROELECTRONICS 19 184 15.03 
    SM6T36A       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SM6T36A     ST MICROELECTRONICS SEMI 758 цена радиодетали
    SM6T36A     STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SM6T36A     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SM6T36A       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SM6T36A     HOTTECH 8 673 11.83 
    SM6T36A     1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STF23NM50N     ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STF23NM50N       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход