|
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 170mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CKX3-3.5-04 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
|
|
||||||
| HU-05 PITCH 2.54MM |
|
|
||||||
| HU-05 PITCH 2.54MM |
|
|
||||||
| PB07-AA-0G0 |
|
|
||||||
| TECAP 68/6.3V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 6.3 В | SAMSUNG |
|
|
|||
| TECAP 68/6.3V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 6.3 В | VISHAY |
|
|
|||
| TECAP 68/6.3V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 6.3 В | SAM |
|
|
|||
| TECAP 68/6.3V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 6.3 В |
|
|
||||
| WF-05 PITCH 2.54MM | 13 872 | 1.89 |