MBRS3200T3G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 3A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 200V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
| Корпус | SMB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2KBP08M-E4/51 ДИОДНЫЙ МОСТ 800V 2A | VISHAY |
|
|
|||||
| CL31B104KBCNNNC | SAM |
|
|
|||||
| CL31B104KBCNNNC | SAMSUNG | 14 372 | 1.73 | |||||
| CL31B104KBCNNNC |
|
|
||||||
| MJD50T4G | ONS | 676 | 63.54 | |||||
| MJD50T4G | ON Semiconductor | 1 996 | 35.80 | |||||
| MJD50T4G |
|
|
||||||
| MJD50T4G | ON SEMICONDUCTOR | 157 |
|
|||||
| MJD50T4G | 2495 |
|
|
|||||
| SBR2512: 3-ФАЗНЫЙ ДИОДНЫЙ МОСТ (25А,1200В) |
|
|
||||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | VISHAY | 4 569 | 24.80 | |||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | 2 192 | 22.48 |
