MBRS3200T3G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MBRS3200T3G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 760	3-4 недели Цена по запросу
MBRS3200T3G	4	116.00
MBRS3200T3G (FUXIN)	307	3.92
MBRS3200T3G (TOKMAS)	552	4.45

Версия для печати

Технические характеристики MBRS3200T3G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	840mV @ 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Current - Average Rectified (Io)	3A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1mA @ 200V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AA, SMB
Корпус	SMB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CB016M0470RSF-0810		YAGEO
CB016M0470RSF-0810
CB016M0470RSF-0810
IR1155STRPBF		International Rectifier
IR1155STRPBF		INFINEON
IR1155STRPBF
IR1155STRPBF		4-7 НЕДЕЛЬ	354
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	VISHAY
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	Vishay/Siliconix
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFL210PBF	Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A
SM6T36A		ST MICROELECTRONICS	2 000	9.16
SM6T36A
SM6T36A		ST MICROELECTRONICS SEMI	758
SM6T36A		STMicroelectronics
SM6T36A		КИТАЙ
SM6T36A
SM6T36A		HOTTECH	60	5.69
SM6T36A		1
STF23NM50N		ST MICROELECTRONICS
STF23NM50N