MBRS3200T3G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 3A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 200V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
| Корпус | SMB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2KBP08M-E4/51 ДИОДНЫЙ МОСТ 800V 2A | VISHAY |
|
|
|||||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 223 | 7.42 | |||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONS | 300 | 7.96 | |||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 |
|
|
||||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 48 |
|
|||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | LRC |
|
|
|||
| CL31B104KBCNNNC | SAM |
|
|
|||||
| CL31B104KBCNNNC | SAMSUNG | 7 |
1.20 >100 шт. 0.60 |
|||||
| CL31B104KBCNNNC |
|
|
||||||
| SBR2512: 3-ФАЗНЫЙ ДИОДНЫЙ МОСТ (25А,1200В) |
|
|
||||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | VISHAY | 4 729 | 24.80 | |||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | 2 192 | 24.61 |
