| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FSC
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FAIRCHILD
|
1 266
|
72.61
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVL
|
18 515
|
30.02
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ISO
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LIT
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVERLIGHT
|
1
|
43.92
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
|
30
|
61.38
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TOSHIBA
|
266
|
72.61
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ERL
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
1
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
CT-MICRO
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
JIE
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
927
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313A-SU |
|
Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб
|
ATMEL
|
4
|
112.55
|
|
|
|
ATTINY2313A-SU |
|
Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб
|
|
1 212
|
223.31
|
|
|
|
ATTINY2313A-SU |
|
Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб
|
США
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313A-SU |
|
Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313A-SU |
|
Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб
|
MICRO CHIP
|
2 240
|
320.29
|
|
|
|
ATTINY2313A-SU |
|
Микроконтроллер 20МГц, EEPROM: 128 байт, ОЗУ: 128 байт, 8 бит, I/O 18, 2 Кб
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
1 036
|
1.86
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
5.47
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
90 224
|
1.50
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
95 948
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
92 964
|
1.49
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
80
|
1.50
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 291
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
26 520
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.52
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
115 725
|
1.99
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
96 000
|
1.21
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
42 553
|
1.43
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
84 941
|
3.62
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
66
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
8 796
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP(PHILIPS)
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ZITEK
|
16 800
|
1.49
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
1296
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
21000
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
1231
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
5891
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
RUME
|
36 000
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
TRR
|
108 000
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
|
32
|
5.92
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
YAGEO
|
61 368
|
2.77
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0805KKX7R8BB105 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1мкФ, X7R, 10%, 0805, 25В
|
СКЛАД
|
|
|
|
|
|
IRFR1018EPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR1018EPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
|
|
|
|
|
|
|
IRFR1018EPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
|
INFINEON
|
2 320
|
123.98
|
|