Версия для печати
Технические характеристики BC868-25

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 100mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 500mA, 1V
Power - Max	1.2W
Frequency - Transition	170MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-243AA
Корпус	SOT-89

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-X7R-16-4.7МКФK			MURATA
		0805-X7R-16-4.7МКФK			HITANO
		DM3D-SF			Hirose Electric Co Ltd
		DM3D-SF
		DM3D-SF			HI	422	83.85
		DM3D-SF			HIROSE	281	124.00
		MAX5481EUD+		Цифровой потенциометр, Ind	MAXIM
		MAX5481EUD+		Цифровой потенциометр, Ind	Maxim Integrated Products
		MAX5481EUD+		Цифровой потенциометр, Ind
		MAX5481EUD+		Цифровой потенциометр, Ind	MAX
		MAX5481EUD+		Цифровой потенциометр, Ind	4-7 НЕДЕЛЬ	740
		REF198ESZ		ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	ANALOG DEVICES
		REF198ESZ		ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C			649.44
		REF198ESZ		ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	Analog Devices Inc
		REF198ESZ		ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	ANALOG DEVICES
		REF198ESZ		ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	ANALOG
		REF198ESZ		ИОН, 4.096В+5мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	304
		TL074IDT			ST MICROELECTRONICS	1 697	27.30
		TL074IDT			ST MICROELECTRONICS SEMI	16
		TL074IDT			STMicroelectronics
		TL074IDT
		TL074IDT			4-7 НЕДЕЛЬ	680

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"