|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
17 858
|
8.03
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
763
|
18.60
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MSHVN
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
КИТАЙ
|
800
|
9.45
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YJ
|
16 480
|
5.45
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MIC
|
5 253
|
6.09
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
|
23 248
|
4.59
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
---
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
DIOTEC
|
527
|
10.08
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
MASTER INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SHENZHEN
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
LGE
|
16 885
|
9.30
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
SUNTAN
|
15 617
|
10.48
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
KLS
|
5
|
8.08
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE
|
18 600
|
5.82
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
PETPREN
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ASEMI
|
2 872
|
10.70
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
LINGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5822 |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
64 350
|
1.75
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
2 384
|
2.10
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
449
|
3.09
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
58 676
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
2.10
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
11.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
7
|
2.18
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
8 521
|
1.34
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.21
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
245 724
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
75 826
|
2.55
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
33 316
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
64
|
1.36
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
70 068
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
70 750
|
1.56
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL
|
30
|
25.20
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
|
|
52.40
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
409
|
|
|
|
|
GD32F103VGT6 |
|
|
GIGADEVICE
|
|
|
|
|
|
GD32F103VGT6 |
|
|
GIGADEV
|
1
|
220.73
|
|
|
|
GD32F103VGT6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
GD32F103VGT6 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
495
|
|
|
|
|
TXB0108PWR |
|
|
|
748
|
33.55
|
|
|
|
TXB0108PWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
79
|
38.59
|
|
|
|
TXB0108PWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
432
|
|
|
|
|
TXB0108PWR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TXB0108PWR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TXB0108PWR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
702
|
|
|