| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
56 843
|
1.01
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
420 753
|
1.22
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
71 726
|
2.76
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
182 695
|
1.38
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
5.47
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
2 128
|
3.70
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
27
|
1.51
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
60 724
|
1.06
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
28 000
|
2.07
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
2 311
|
1.38
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
23 296
|
1.44
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
28 128
|
1.17
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
48 071
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
85
|
1.62
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ASEMI
|
1
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEEN SIDE
|
365 162
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
82582
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
81682
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TRR
|
521 840
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
71682
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
1 816
|
3.70
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
30 928
|
2.18
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
53 467
|
3.06
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
204
|
3.18
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
2 319
|
7.40
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
7 217
|
1.44
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
2 400
|
2.31
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
11 212
|
1.26
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST/YJ
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
10
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
68
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
876
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
98
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
542
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RUME
|
1 912
|
1.25
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL
|
28
|
25.44
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
|
|
52.40
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT24C16AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
409
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
3 960
|
2.12
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
1
|
2.68
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 052
|
1.70
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
1 115
|
1.17
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
421
|
1.49
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
17 291
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
326 044
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
349 573
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.08
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
62
|
3.10
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
39 468
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
58
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
55 048
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
10 744
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 016
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.70
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
134 203
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOS
|
36
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1996
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2300
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2975
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2520
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
27000
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
RUME
|
74 400
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TRR
|
141 200
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
МИНСК
|
2 840
|
31.80
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
1175
|
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
1595
|
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
871
|
|
|
|