| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | 
                                                    
                                | FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 
                                                    
                                | FET Feature | Logic Level Gate | 
                                                    
                                | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V | 
                                                    
                                | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V | 
                                                    
                                | Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 115mA | 
                                                    
                                | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | 
                                                    
                                | Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | 
                                                    
                                | Power - Max | 200mW | 
                                                    
                                | Тип монтажа | Поверхностный | 
                                                    
                                | Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 
                                                    
                                | Корпус | SOT-23 | 
                                                    
                                | Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 | 
                                                    
                                | Серия | STripFET™ | 
                                                    
                                | Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2nC @ 5V | 
                        
                    
                              
                
                
							
								|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 |  | 3 | 45.36 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | UTC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | PHILIPS | 64 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | МЕКСИКА |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | FSC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | TEXAS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | TEXAS INSTRUMENTS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | 1 |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 74HC4051D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Мультиплексор аналоговый 8->1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 667 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DIOTEC | 222 824 | 1.33 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DC COMPONENTS | 107 294 | 1.33 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | GALAXY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | MCC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | UTC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) |  | 58 071 | 1.34 >100 шт.   0.67
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FAIRCHILD | 325 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | LI-SION TECHNOLOGY INC. |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NATIONAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | KEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NXP | 4 345 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DIOTEC SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FSC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | ONS-FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PANJIT | 27 200 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | FAIRCHILD | 3 467 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | INFINEON | 800 | 4.91 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | HOTTECH | 495 978 | 1.68 >100 шт.   0.84
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | ARK |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | АЛЕКСАНДРОВ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | KLS | 568 | 1.88 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NEXPERIA | 333 826 | 1.17 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | DIODES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | SEMTECH | 336 | 1.33 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | PJ | 6 378 | 1.20 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YANGJIE | 2 039 949 | 1.50 >500 шт.   0.50
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YJ | 1 484 974 | 1.52 >100 шт.   0.76
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | JSCJ | 221 348 | 1.62 >100 шт.   0.81
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | NXP/NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | TRR | 67 200 | 1.03 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | SUNTAN | 113 388 | 1.58 >100 шт.   0.79
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | JINGDAO | 18 144 | 1.30 >100 шт.   0.65
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | TRR ELECTRONICS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | HOTTECCN | 1 710 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | CJ | 8 000 | 5.12 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | YANGZHOU YANGJIE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV99 |   | 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns) | KEEN SIDE | 239 470 | 1.32 >500 шт.   0.44
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BF998 |   | Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BF998 |   | Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BF998 |   | Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BF998 |   | Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт |  |   | 34.40 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BF998 |   | Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BF998 |   | Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BF998 |   | Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET |  | 61 241 | 3.25 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | ФИЛИППИНЫ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | YOUTAI | 1 | 2.37 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | HUASHUO | 15 210 | 2.93 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | HOTTECH | 541 832 | 3.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | 1 |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | INFINEON | 38 | 13.62 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | SUNTAN | 293 017 | 8.19 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | UMW | 18 400 | 3.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6402 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET | KEEN SIDE | 16 | 2.23 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | MCP6022-I/SN |   | Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz,  7,0V/us | MICRO CHIP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | MCP6022-I/SN |   | Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz,  7,0V/us |  |   | 268.00 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | MCP6022-I/SN |   | Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz,  7,0V/us | Microchip Technology |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | MCP6022-I/SN |   | Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz,  7,0V/us | MICRO CHIP | 32 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | MCP6022-I/SN |   | Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz,  7,0V/us | 4-7 НЕДЕЛЬ | 696 |   |  |