BC847BLT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC847BLT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 428	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BC847BLT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LBC846

General Purpose Transistors Npn Silicon

Также в этом файле: LBC847BLT1G

Производитель:
Leshan Radio Company
//www.lrc-china.com

BC847BLT1G datasheet
142.13Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	VISHAY
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	INTERNATIONAL RECTIFIER
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A			34.00
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	Vishay/Semiconductors
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	VISHAY
10BQ015TRPBF	SMD диод Шоттки Vrrm=15 В, Ifav=1A	INTERNATIONAL RECTIFIER
LM2575S-12		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2575S-12				170.08
LM2575S-12		NSC
LM2575S-12		ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
LM2575S-12		TEXAS
LM2575S-12		YOUTAI	732	17.94
LM2575S-12		UMW	392	61.99
LM2575S-12		UMW-YOUTAI
LM2575S-12		4-7 НЕДЕЛЬ	41
RC0805JR-0722RL		YAGEO	524 996	1.00 >1000 шт. 0.20
RC0805JR-0722RL
RC0805JR-0722RL		YAGEO	5 160
TA8428K		TOSHIBA
TA8428K				300.80
TA8428K		TOS
TA8428K		4-7 НЕДЕЛЬ	601
TECAP 22/10V B 10	Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 10 В	VISHAY