| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
3 958
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
73 741
|
1.05
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DC COMPONENTS
|
807
|
2.27
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC
|
162 939
|
1.59
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ST MICROELECTRONICS
|
15 183
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIC
|
13 809
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
7 200
|
1.05
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
2 439
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
OTHER
|
256
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
КИТАЙ
|
51 200
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
|
197 132
|
3.70
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEMTECH
|
103 252
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YJ
|
72 128
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KATO
|
800
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEHTECH
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
51 612
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 332
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
HOTTECH
|
145 886
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIG
|
17 439
|
1.05
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
21 425
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LGE
|
116
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RUME
|
41 200
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
CTK
|
36 124
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KEEN SIDE
|
124
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SENOCN
|
320
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН
|
14
|
2.18
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP
|
1 206
|
21.00
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
|
395
|
22.20
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
1
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
FUMAN
|
6 052
|
3.35
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
NXP/NEXPERIA
|
591
|
11.59
|
|
|
|
74HC164D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
316
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
35 697
|
3.92
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
1 636
|
2.89
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
4
|
2.52
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
266 342
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
125 656
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
196 908
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
143 880
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEXPERIA
|
66 240
|
1.32
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PLINGSEMIC
|
187 144
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
3 418
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MERRYELC
|
223 960
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 639
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
275
|
1.48
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
3 024
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
30 892
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
621 856
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
60 000
|
2.07
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.10
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
1 042 793
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 489
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
51 673
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
480 782
|
1.03
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
XXW
|
631 192
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEEN SIDE
|
2 976
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MERRYELC
|
94 144
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
FRS
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
|
|
147.56
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
MOT
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC3362P |
|
Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием частоты. fmax=180МГц, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
170
|
|
|