BSH201
P-channel enhancement mode mos transistor
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 300mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Power - Max | 417mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSH201 (MOSFET) P-channel enhancement mode MOS transistor
Производитель:
|
