5EHDVC-03P
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CB016M0470RSF-0810 | YAGEO |
|
|
|||||
| CB016M0470RSF-0810 |
|
|
||||||
| CB016M0470RSF-0810 |
|
|
||||||
 |
 |
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A |
|
|
||
| MJD50T4G | ONS | 676 | 55.69 | |||||
| MJD50T4G | ON Semiconductor | 1 996 | 42.40 | |||||
| MJD50T4G |
|
|
||||||
| MJD50T4G | ON SEMICONDUCTOR | 157 |
|
|||||
| MJD50T4G | 2495 |
|
|
|||||
 |
NE-2 4X10 | 6 400 | 2.37 | |||||
|
|
NE-2 4X10 | 6 400 | 2.37 | |||||
| SM6T36A | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| SM6T36A |
|
|
||||||
| SM6T36A | ST MICROELECTRONICS SEMI | 758 |
|
|||||
| SM6T36A | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| SM6T36A | КИТАЙ |
|
|
|||||
| SM6T36A |
|
|
||||||
| SM6T36A | HOTTECH |
|
|
|||||
| SM6T36A | 1 |
|
|
