CL31B104KBCNNNC
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5EHDVC-03P |
|
|
||||||
| 5EHDVC-03P | DINKLE |
|
|
|||||
| 5EHDVC-03P | DINK | 1 566 | 15.74 | |||||
 |
 |
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFL210PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-кан Vси = 200В, Rоткр = 1.5Ом, Id(25°C) = 0.96A |
|
|
||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 456 | 4.37 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 9 055 | 4.55 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI |
|
|
|||||
| MJD50T4G | ONS | 702 | 46.52 | |||||
| MJD50T4G | ON Semiconductor | 1 996 | 42.40 | |||||
| MJD50T4G |
|
|
||||||
| MJD50T4G | ON SEMICONDUCTOR | 157 |
|
|||||
| MJD50T4G | 2495 |
|
|
|||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | VISHAY | 8 024 | 25.83 | |||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | 2 192 | 24.61 |
