5EHDVC-03P
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CL31B104KBCNNNC | SAM |
|
|
|||||
| CL31B104KBCNNNC | SAMSUNG |
|
|
|||||
| CL31B104KBCNNNC |
|
|
||||||
 |
IRF5210PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRF5210PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | 2 616 | 85.33 | |||
|
|
IRF5210PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | INFINEON | 172 | 97.12 | ||
|
|
IRF5210PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | INTERNATIONAL RECTIFIER | 14 |
|
||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 362 | 4.67 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 8 535 | 4.39 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI |
|
|
|||||
| MJD50T4G | ONS | 702 | 45.47 | |||||
| MJD50T4G | ON Semiconductor | 1 996 | 42.40 | |||||
| MJD50T4G |
|
|
||||||
| MJD50T4G | ON SEMICONDUCTOR | 157 |
|
|||||
| MJD50T4G | 2495 |
|
|
|||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | VISHAY | 8 016 | 24.80 | |||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | 2 192 | 24.61 |
