| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
116 252
|
1.98
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 936
|
4.56
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
42 632
|
2.13
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
27 755
|
5.27
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
25 292
|
1.92
|
|
|
|
|
LM2575S-12 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-12 |
|
|
|
|
170.08
|
|
|
|
|
LM2575S-12 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-12 |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-12 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-12 |
|
|
YOUTAI
|
732
|
18.44
|
|
|
|
|
LM2575S-12 |
|
|
UMW
|
392
|
64.06
|
|
|
|
|
LM2575S-12 |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-12 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
41
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
1 000
|
11.10
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
ONS
|
464
|
21.70
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
794
|
|
|
|
|
|
ИО-102-2 |
|
|
|
|
137.00
|
|
|
|
|
ИО-102-2 |
|
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
|
ИО-102-2 |
|
|
АРГО
|
|
|
|
|
|
|
ИО-102-2 |
|
|
РЗМКП
|
376
|
206.64
|
|