Версия для печати
Технические характеристики MSP430F249TPM

Корпус (размер)	64-LQFP
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C
Тип осцилятора	Internal
Преобразователи данных	A/D 8x12b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 3.6 V
Размер памяти	2K x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	60KB (60K x 8 + 256B)
Число вводов/выводов	48
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Подключения	I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART
Скорость	16MHz
Размер ядра	16-Bit
Процессор	RISC
Серия	MSP430
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	ST MICROELECTRONICS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс		50	60.48
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMEN
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	HGSEMI	3 515	22.80
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	4-7 НЕДЕЛЬ	308
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	3.20
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	200 884	2.52
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	17 875	5.02
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	132	1.91
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	3 760	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	19 616	4.81
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	11 300	2.14
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.75
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	3.09
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	Analog Devices Inc
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	США
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	AD1
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	NO NAME
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	765
		P4KE6.8A
		P4KE6.8A			MASTER INSTRUMENT CO
		P4KE6.8A			DC COMPONENTS
		P4KE6.8A			OTHER
		P4KE6.8A			Littelfuse Inc
		P4KE6.8A			LTL
		P4KE6.8A			LITTELFUSE
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный		301 626	3.70
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ТОМСК
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	КВАРЦИТ
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	RUS
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НАЛЬЧИК
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ДАЛЕКС
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НИИПП ТОМСК	4 560	48.56

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"