Корпус (размер) | 64-LQFP |
Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 8x12b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
Размер памяти | 2K x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 60KB (60K x 8 + 256B) |
Число вводов/выводов | 48 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Подключения | I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART |
Скорость | 16MHz |
Размер ядра | 16-Bit |
Процессор | RISC |
Серия | MSP430 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG719BRTZ-REEL7 |
|
Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
144.71
|
|
|
|
ADG719BRTZ-REEL7 |
|
Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG719BRTZ-REEL7 |
|
Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG719BRTZ-REEL7 |
|
Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6
|
ANALOG DEVICES
|
6
|
|
|
|
|
ADG719BRTZ-REEL7 |
|
Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6
|
|
553
|
82.03
|
|
|
|
ADG719BRTZ-REEL7 |
|
Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
516
|
|
|
|
|
ADG719BRTZ-REEL7 |
|
Ключ однополюсный на 2 направления, R=5 Ом, -40°C to +85°C, SOT-23-6
|
ADI
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
144 398
|
2.04
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
11 216
|
3.68
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
62 427
|
2.11
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
25 929
|
5.44
|
|
|
|
LP2985AIM5-3.3 |
|
Регулятор напряжения линейный 3.6 ... 16В, / 3.3В, 0.15А
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-3.3 |
|
Регулятор напряжения линейный 3.6 ... 16В, / 3.3В, 0.15А
|
|
10
|
98.28
|
|
|
|
LP2985AIM5-3.3 |
|
Регулятор напряжения линейный 3.6 ... 16В, / 3.3В, 0.15А
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-3.3 |
|
Регулятор напряжения линейный 3.6 ... 16В, / 3.3В, 0.15А
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
9
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-3.3 |
|
Регулятор напряжения линейный 3.6 ... 16В, / 3.3В, 0.15А
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-3.3 |
|
Регулятор напряжения линейный 3.6 ... 16В, / 3.3В, 0.15А
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
112
|
52.50
|
|
|
|
LP2985AIM5-3.3 |
|
Регулятор напряжения линейный 3.6 ... 16В, / 3.3В, 0.15А
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-3.3 |
|
Регулятор напряжения линейный 3.6 ... 16В, / 3.3В, 0.15А
|
1
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-3.3 |
|
Регулятор напряжения линейный 3.6 ... 16В, / 3.3В, 0.15А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
752
|
|
|
|
|
SS495A1-T3 |
|
Датчик Холла, диапазон -670..670 Гс ( -67..67 мТ), чувствительность 3.125+0.094 мВ/Гс, ...
|
HONEY
|
|
|
|
|
|
SS495A1-T3 |
|
Датчик Холла, диапазон -670..670 Гс ( -67..67 мТ), чувствительность 3.125+0.094 мВ/Гс, ...
|
Honeywell Sensing and Control
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 572
|
12.88
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
2 450
|
7.89
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
5 600
|
14.07
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
96
|
6.30
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
19 417
|
14.07
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 136
|
9.08
|
|