Корпус (размер) | 64-LQFP |
Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 8x12b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
Размер памяти | 2K x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 60KB (60K x 8 + 256B) |
Число вводов/выводов | 48 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Подключения | I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART |
Скорость | 16MHz |
Размер ядра | 16-Bit |
Процессор | RISC |
Серия | MSP430 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
|
|
288.00
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
12
|
|
|
|
|
ADG704BRMZ |
|
MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
308
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
ANALOG DEVICES
|
56
|
717.49
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
|
|
788.00
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG707BRUZ |
|
2 мультиплексора 8х1, 2.5 Ом, 200МГц, TSSOP28, -40°C..85°C.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
505
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
|
2
|
272.00
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
FM25CL64-GTR |
|
Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
289
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
177 459
|
2.87
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
21 150
|
5.02
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
105 446
|
2.77
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
23 738
|
8.27
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
|
|
92.00
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
FAIRCHILD
|
296
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
SI9410DY |
|
|
SILICONIX
|
1
|
|
|