| Корпус (размер) | 64-LQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 8x12b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Размер памяти | 2K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 60KB (60K x 8 + 256B) |
| Число вводов/выводов | 48 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART |
| Скорость | 16MHz |
| Размер ядра | 16-Bit |
| Процессор | RISC |
| Серия | MSP430 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
|
4
|
33.30
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
HGSEMI
|
1 648
|
10.33
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
510
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
247 241
|
2.68
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 883
|
4.81
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
2 569
|
2.05
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
19 652
|
5.12
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
11 404
|
2.25
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.91
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.28
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
CEL
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
NEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
PS7214-1A-F3-A |
|
Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
2 103
|
38.64
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
14 386
|
46.64
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 640
|
84.72
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|
Версия для печати
