Корпус (размер) | 64-LQFP |
Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 8x12b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
Размер памяти | 2K x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 60KB (60K x 8 + 256B) |
Число вводов/выводов | 48 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Подключения | I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART |
Скорость | 16MHz |
Размер ядра | 16-Bit |
Процессор | RISC |
Серия | MSP430 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
ANALOG DEVICES
|
658
|
525.00
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
|
|
599.28
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
716
|
|
|
|
|
DX-5R5H224U |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.22 Ф 5.5 В
|
ELNA
|
|
|
|
|
|
DX-5R5H224U |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.22 Ф 5.5 В
|
|
|
248.00
|
|
|
|
DX-5R5H224U |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.22 Ф 5.5 В
|
Elna America
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
187 394
|
2.89
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
21 150
|
4.86
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
108 948
|
2.83
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
24 225
|
8.45
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
КП307Ж |
|
|
|
|
34.56
|
|
|
|
КП307Ж |
|
|
ФОТОН
|
|
|
|