| Корпус (размер) | 64-LQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 8x12b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Размер памяти | 2K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 60KB (60K x 8 + 256B) |
| Число вводов/выводов | 48 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART |
| Скорость | 16MHz |
| Размер ядра | 16-Bit |
| Процессор | RISC |
| Серия | MSP430 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
|
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
25
|
|
|
|
|
|
ADR441ARZ |
|
Precision Low Dropout Ultra-low Noise
|
ADI
|
|
|
|
|
|
|
B130LAW-7-F |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
B130LAW-7-F |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B130LAW-7-F |
|
|
DIODES INC.
|
53
|
|
|
|
|
|
B130LAW-7-F |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
 |
 |
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
133 353
|
1.94
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
6 128
|
4.33
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
56 295
|
2.06
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
32 503
|
5.32
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
26 000
|
2.23
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
|
|
922.12
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
MAX1703ESE |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
168
|
|
|
|
|
|
КТ3102ДМ |
|
|
|
|
4.72
|
|
|
|
|
КТ3102ДМ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
10.58
|
|
|
|
|
КТ3102ДМ |
|
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ДМ |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ДМ |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ДМ |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ДМ |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ДМ |
|
|
ЭЛЕКС
|
52
|
6.05
|
|
|
|
|
КТ3102ДМ |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
