Версия для печати
Технические характеристики P4KE6.8A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	5.8V
Voltage - Breakdown	6.45V
Мощность (Ватт)	400W
Polarization	Unidirectional
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус	DO-204AL (DO-41)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Устройства защиты

 » 

TVS

 » 

Диоды

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	PHILIPS	800	9.83
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	AMERICAN POWER DEVICES
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	FAIR
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	ITT
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	NXP
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	CHINA
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	MOTOROLA
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	DC COMPONENTS	415	3.63
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	FAIRCHILD
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	AMERICAN POWER DEVICES
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	FAIRCHILD
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	ITT
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	MOTOROLA
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	NXP
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	PHILIPS
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	Fairchild Semiconductor
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	EIC SEMICONDUCTOR	272
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт		10 655	2.03
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	КИТАЙ
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	ONS-FAIR
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	ONS
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	KINGTRONICS
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	HOTTECH	4 568	2.25
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	MULTICOMP
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	KOME
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	SEMTECH
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	SUNTAN	11 132	1.92
		1N4734A		Стабилитрон 5.6В, 1Вт	CTK	4 094	1.38
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	2 513	2.10
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	13 112	1.17
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC	35 793	2.11
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	337
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	OTHER	1 165
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	552
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	MCC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)			3.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON	59
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA	2 164	2.10
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	268	1.77
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	LRC
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	156 265	1.38  >100 шт.   0.69
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KLS
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	WUXI XUYANG
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	0.00
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	YJ	307 729	1.18  >100 шт.   0.59
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	36 336	1.14  >100 шт.   0.57
		BAS16		Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SUNTAN	186	1.17
		BZX84-C12.215		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NXP
		BZX84-C12.215		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NEX-NXP
		BZX84-C12.215		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NEXPERIA
		BZX84-C12.215		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 800	3.15
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	142 382	2.02
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	11 208	3.63
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	62 411	2.08
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 000	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	29 946	5.33
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 572	12.88
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	2 450	7.79
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК	5 600	14.07
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ	96	6.30
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	19 417	14.07
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 136	9.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"