| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
ANALOG DEVICES
|
506
|
530.00
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
|
|
599.28
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
336
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
612
|
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
108
|
|
|
|
|
|
|
ADG709BRUZ |
|
4x1 мультиплексор (1.8 to 5.5 V Single Supply -3/+3 Dual Supply, 3 Ом On-Resistance, ...
|
91
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
2 513
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
24 238
|
1.55
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
35 227
|
1.97
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
337
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
OTHER
|
1 165
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
552
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
1 439
|
1.28
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
2 164
|
2.12
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
1.67
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
67 608
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
231 692
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
165 551
|
1.70
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
192
|
1.08
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
58 028
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
2705
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
200
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
200 845
|
2.52
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 883
|
5.12
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
165
|
2.20
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
16 919
|
4.91
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
11 396
|
2.17
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.75
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.09
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM239AN |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
40.60
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
TOBE
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
|
1 840
|
21.02
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ZH
|
6 640
|
13.37
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
LGE
|
268
|
23.31
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
HXY
|
380
|
14.29
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
RUME
|
76 048
|
11.59
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
TRR
|
9 760
|
11.59
|
|