IRLML6401

Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRLML6401	40 800	3.15
IRLML6401 (HOTTECH)	284 161	2.01
IRLML6401 (HUASHUO)	11 503	5.31
IRLML6401 (YOUTAI)	80 522	2.80
IRLML6401 (UMW)	8 000	3.10
IRLML6401 (SUNTAN)	23 738	5.29
IRLML6401TR (YOUTAI)	95 468	1.60

Силовой транзистор
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 4.5 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 4.3 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.05 Ом

Версия для печати

Технические характеристики IRLML6401

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	830pF @ 10V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLML6401 (P-канальные транзисторные модули)

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLML6401 datasheet
141.94Kb
9стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BARONS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BI TECHNOLOGIES
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``			56.00
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	Bourns Inc
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	КИТАЙ
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOCHEN	5 656	15.95
CDRH2D14NP-2R2NC	Дроссель 2,2мкГн, 1,5А	SUMIDA	15 184	21.95
CDRH2D14NP-2R2NC	Дроссель 2,2мкГн, 1,5А			80.60
NCP1529ASNT1G	Регулируемый понижающий СН	ON SEMICONDUCTOR
NCP1529ASNT1G	Регулируемый понижающий СН			152.00
NCP1529ASNT1G	Регулируемый понижающий СН	ONS	2 782	72.82
NCP1529ASNT1G	Регулируемый понижающий СН	ON SEMICONDUCTO
NCP1529ASNT1G	Регулируемый понижающий СН	4-7 НЕДЕЛЬ	200
STM1061N34WX6F		ST MICROELECTRONICS
STM1061N34WX6F				76.00
STM1061N34WX6F		STMicroelectronics
STM1061N34WX6F		ST MICROELECTRO
STM1061N34WX6F		4-7 НЕДЕЛЬ	339
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	TEXAS INSTRUMENTS	28 734	13.43
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН		30 995	3.00
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	NXP
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	TEXAS	71 382	5.37
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	TEXAS INSTRUMENTS	1 267
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	TEXAS INSTRUMEN
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	TEXASINSTRUMENTS
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	NEX-NXP
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	ZH
TL431AIDBZR	Регулирятор прецизионный параллельный СН	4-7 НЕДЕЛЬ	473

IRLML6401

Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: