| Корпус (размер) | 64-LQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 8x12b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Размер памяти | 2K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 60KB (60K x 8 + 256B) |
| Число вводов/выводов | 48 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART |
| Скорость | 16MHz |
| Размер ядра | 16-Bit |
| Процессор | RISC |
| Серия | MSP430 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
 |
 |
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
7
|
31.00
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
HGSEMI
|
3 062
|
25.59
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
428
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
116 302
|
1.95
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 936
|
4.40
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
41 824
|
2.03
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
21 912
|
5.09
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
25 292
|
1.86
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
MICREL
|
|
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
Micrel Inc
|
|
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
MCH/MCRL
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
ТОМСК
|
|
|
|
Версия для печати
