Версия для печати
Технические характеристики TCA0372DP1G

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	5 V ~ 40 V, ±2.5 V ~ 20 V
Ток выходной / канал	1A
Ток выходной	5mA
Напряжение входного смещения	1000µV
Ток - входного смещения	100nA
Полоса пропускания	1.4MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	1.4 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS	3 251	9.00
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	6 353	3.27
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	45 668	1.98
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	21 368	2.25
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	480	3.15
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		19 483	1.83
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	3 597	3.11
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	17 600	2.46
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	NXP
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	PHILIPS	800	7.18
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250			6.16
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	DC COMPONENTS	18 017	1.27
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	DIOTEC
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	OTHER	12
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	США
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	PHILIPS SEMIC
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	FAIRCHILD
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	FSC
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	SEMTECH
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	KLS
		BC327-25		Транзистор биполярный малой мощности PNP 45V, 0.8A, 0.6W, 100MHz, B=100-250	LGE
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	52.92
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W		4	129.78
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	PHILIPS
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	МЕКСИКА
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INFINEON
		IRFZ24N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	1
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	DC COMPONENTS	432	164.25
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MASTER INSTRUMENT CO
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм		37	277.50
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MIC	971	109.47
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	EUPEK
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	QUAN-HONG
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	GALAXY
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	YJ	2 314	113.69
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	КИТАЙ
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	PS
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	SEP
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	KINGTRONICS
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	GALAXY ME
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MULTICOMP
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	SSO
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	KLS	800	113.65
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	HOTTECH	19 980	86.54
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	WUXI XUYANG
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	YANGJIE	11 160	80.80
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	YANGJIE (YJ)
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	HYELEC	1 178	105.91
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MDD
		KBPC5010		Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	BO	800	59.12
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...		501	10.67
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	КРЕМНИЙ	2 391	14.01
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	МИНСК
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	РИГА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	БРЯНСК	6 866	13.02
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"