Версия для печати
Технические характеристики MSP430F249TPM

Корпус (размер)	64-LQFP
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C
Тип осцилятора	Internal
Преобразователи данных	A/D 8x12b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 3.6 V
Размер памяти	2K x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	60KB (60K x 8 + 256B)
Число вводов/выводов	48
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Подключения	I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART
Скорость	16MHz
Размер ядра	16-Bit
Процессор	RISC
Серия	MSP430
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ANALOG DEVICES
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ANALOG
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	Analog Devices Inc
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
		AD8554ARZ		4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	240
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	ANALOG DEVICES
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	ANALOG
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free			288.00
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	Analog Devices Inc
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	ANALOG DEVICES	12
		ADG704BRMZ		MUX 4х1, 2.5 Ом, 200 МГц mSOIC10, -40°C- +85°C, PB free	4-7 НЕДЕЛЬ	747
		CP2101			SILAB
		CP2101			SILICON LABS
		CP2101			SILICON LABS	5
		CP2101			Silicon Laboratories Inc
		CP2101			CYGNAL INTEGRATED PRODUCTS	240
		FM25CL64-GTR		Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...	RAMTRON
		FM25CL64-GTR		Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...		2	272.00
		FM25CL64-GTR		Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...	RAMTRON INTERNATIONAL CORP
		FM25CL64-GTR		Память FRAM, 8Кбайт, SPI (режимы 0 и 3) до 20 МГц, неогр.кол-во циклов, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	521
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	2.92
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	266 123	2.43
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	13 074	7.98
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	52	3.87
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	40	2.07
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	17 409	4.73
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	8 908	2.01
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.65
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	2.97

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"