| Корпус (размер) | 64-LQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 8x12b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Размер памяти | 2K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 60KB (60K x 8 + 256B) |
| Число вводов/выводов | 48 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART |
| Скорость | 16MHz |
| Размер ядра | 16-Bit |
| Процессор | RISC |
| Серия | MSP430 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
|
54
|
60.48
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS
|
1 542
|
50.17
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
HGSEMI
|
6 571
|
12.84
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
443
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
178 657
|
2.86
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
19 470
|
5.02
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
105 298
|
2.76
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
29 946
|
8.24
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
45
|
427.14
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
272
|
|
|
|
|
|
P4KE6.8A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
P4KE6.8A |
|
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
|
P4KE6.8A |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
P4KE6.8A |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
P4KE6.8A |
|
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
P4KE6.8A |
|
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
P4KE6.8A |
|
|
LITTELFUSE
|
1 115
|
21.78
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
|
309 386
|
3.70
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ТОМСК
|
8
|
2.10
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Г |
|
Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный
|
НИИПП ТОМСК
|
3 760
|
37.20
|
|
Версия для печати
