| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
1 789
|
2.78
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
532
|
5.47
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DC COMPONENTS
|
18 887
|
1.30
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
DIOTEC
|
16 551
|
2.81
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
|
559
|
7.40
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
FAIRCHILD
|
4 762
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
1 848
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
NXP
|
3 192
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
OTHER
|
4 841
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
HOTTECH
|
194 940
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KOME
|
2
|
2.85
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SUNTAN
|
1
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 298
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
SEMTECH
|
1
|
2.31
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
WUXI XUYANG
|
590
|
1.07
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
YJ
|
503 874
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
CJ
|
796
|
1.48
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSCJ
|
115 452
|
1.06
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
JSMICRO
|
53 378
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
KEEN SIDE
|
84 237
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAT54C |
|
2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...
|
MERRYELC
|
36
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
3 976
|
2.12
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
8
|
2.36
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
75 424
|
1.83
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
421
|
1.51
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
17 291
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
529 352
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
374 164
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.11
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
62
|
4.13
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
39 808
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
58
|
1.02
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
100 556
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
36 568
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 304
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.70
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOS
|
38 956
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MERRYELC
|
424
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1996
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2300
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
2975
|
|
|
|
|
|
IR2104 |
|
Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2104 |
|
Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
|
|
112.80
|
|
|
|
IR2104 |
|
Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IR2104 |
|
Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2104 |
|
Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
10.15
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
WEINTRON TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
|
6 004
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
DIOTEC
|
196
|
1.56
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
364
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NXP
|
27
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
52
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
INFINEON
|
61
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
HOTTECH
|
77 940
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
SEMTECH
|
44
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FUXIN
|
38 867
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YJ
|
231 374
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YANGJIE
|
14 143
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
JSCJ
|
160 268
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FULIHAO TECH
|
1 840
|
8.27
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NEXPERIA
|
797
|
2.30
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
7 489
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
|
324
|
10.08
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 216
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
ONS
|
1 661
|
2.12
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1 |
|
Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W
|
2077
|
|
|
|