MMBT5401LT1

Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MMBT5401LT1	186	5.04
MMBT5401LT1 (ON SEMICONDUCTOR.)	2 144	3-4 недели Цена по запросу
MMBT5401LT1G (ON SEMICONDUCTOR)	4	1.61
MMBT5401LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	794	3-4 недели Цена по запросу

Индексы в названии
1 = 3000 Tape & Reel
3 = 10,000 Tape & Reel
G = (Pb−Free)

Версия для печати

Технические характеристики MMBT5401LT1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 10mA, 5V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	300MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBT5401LT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

Полевой транзистор SMD

Также в этом файле: MMBT5401LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBT5401LT1 datasheet
112,63kB
6стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	12 911	3.47
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 375	3.97
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 012	4.24
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	70 520	0.55 >1000 шт. 0.11
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.96 >100 шт. 0.98
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.77
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	13 696	1.48 >100 шт. 0.74
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.94 >100 шт. 0.97
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	21 216	3.49
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 294	4.11
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		17 448	1.07
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	215	1.36 >100 шт. 0.68
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.16
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	4 034	1.06
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE	2 243	1.72 >100 шт. 0.86
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC	2 056	1.27
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	3 960	2.12
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIODES
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC	8	2.23
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIR
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DC COMPONENTS	57 408	1.71
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WTE
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MCC
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD	1 304
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	149
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OTHER	44
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS	1 404
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC CORP
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	UTC
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY	421	1.70
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	Fairchild Semiconductor
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS SEMIC
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	КИТАЙ
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ZETEX
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	VISHAY
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...		17 291	1.52 >100 шт. 0.76
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS-FAIR
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YJ	450 380	1.82 >100 шт. 0.91
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY ME
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	LRC
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC ELECTRONICS CORP
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	100
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	HOTTECH	243 138	1.41 >500 шт. 0.47
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KLS
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SUNTAN
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PANJIT	24 773
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GOOD-ARK SEMICONDUCTOR	27
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SEMTECH
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE	14 400	1.10
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE (YJ)
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WUXI XUYANG
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONSEMICONDUCTOR
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEX-NXP	62	3.10
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	TWGMC	39 648	1.24 >100 шт. 0.62
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OLITECH	58	2.00 >100 шт. 1.00
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JSCJ	85 307	1.52 >100 шт. 0.76
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YOUTAI	12 392	1.30
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JINGDAO	2 264	1.40 >100 шт. 0.70
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEXPERIA	1 840	1.70
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ASEMI	198 000	1.06 >100 шт. 0.53
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGZHOU YANGJIE
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOS	38 064	1.41 >500 шт. 0.47
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KEEN SIDE
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MERRYELC	344	1.50 >100 шт. 0.75
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1996
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2300
BAT54S	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	2975
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ON SEMICONDUCTOR	800	10.15
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FAIR
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	NXP
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	PHILIPS
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	WEINTRON TECHNOLOGY
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц		3 604	1.04 >100 шт. 0.52
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ST MICROELECTRONICS
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	UTC
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	DIOTEC	23	1.02
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FAIRCHILD
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FAIRCHILD	364
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	NXP	27
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	OTHER
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI	52
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	Fairchild Semiconductor
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	STMicroelectronics
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	КИТАЙ
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	GALAXY
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	INFINEON	61
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	KINGTRON
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ONS-FAIR
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ONS
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	GALAXY ME
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	PANJIT
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	HOTTECH	68 152	1.36 >100 шт. 0.68
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	SEMTECH	44	1.17 >500 шт. 0.39
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	ONSEMICONDUCTOR
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FUXIN	38 867	1.41 >500 шт. 0.47
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	YJ	229 032	1.50 >500 шт. 0.50
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	UMW-YOUTAI
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	YANGJIE	12 783	1.62 >100 шт. 0.81
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	JSCJ	151 427	1.11 >500 шт. 0.37
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	FULIHAO TECH	1 760	8.27
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	NEXPERIA	765	2.27
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	YANGZHOU YANGJIE
MMBT3904	Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц	KEEN SIDE	5 713	1.44 >500 шт. 0.48
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	ON SEMICONDUCTOR
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	MOTOROLA
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W		324	10.08
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	GALAXY
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	MOTOROLA
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	ON SEMICONDUCTOR	2 216
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	ONS	1 661	2.12
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	КИТАЙ
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	ONSEMICONDUCTOR
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	1
MMBT5551LT1	Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W	2077

MMBT5401LT1

Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают: