BC846BT
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 150mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | SOT-416 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BC846AT NPN general purpose transistors Также в этом файле: BC846BT
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX84C4V7LT1G | ONS | 16 580 | 2.18 | |||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 3 096 |
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | 800 | 3.70 | ||||||
| BZX84C4V7LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 |
|
|
||||||
 |
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 |
|
72.00 | |||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | BOURNS | 13 590 | 18.15 | ||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | ВОURNS |
|
|
||
 |
CM453232-470KL |
|
ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812 | BOURNS | 1 254 | 25.20 | ||
|
|
CM453232-470KL |
|
ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812 |
|
|
|||
 |
 |
IRF7402 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7402 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7402 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
